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RIE反应离子刻蚀

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RIE反应离子刻蚀

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项目介绍

RIE反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。

它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的,利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀,即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应,

同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。

主要用于Si、SiO2、SiNx、半导体材料、聚合物、金属的刻蚀以及光刻胶的去除等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。

样品要求

1.样品载物台最大可放置 8 寸硅片;小样品只要可放在载物台亦可;

2.样品可以是多晶硅栅电极,石英材料,锗材料等;

3.若需进一步沟通,请联系技术老师。

项目案例

RIE反应离子刻蚀

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1. 复测保证

如果在订单完成之后7天内对结果存疑,可申请同条件免费复测,更换条件或者参数不能参与免费复测保障服务,全程由专业团队操作,确保结果有效性;

2. 具体细则

每单限1次复测机会,单次需小于5个样品; 此外免费复测样品必须为同一样,私人定制、云视频测试不可享受此服务;

3. 注意事项

如果由于您自身样品的情况(样品有问题/选错测试条件等)将不可享受此服务;

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1. 超时全额退

正常预约同步辐射XAFS测试固定机时且样品正常邮寄至对应测试线站,如无不可抗力影响(停电/掉光/自然灾害/政策影响等),测试超时5个工作日未发数据,全额退款。

2. 具体细则

以预约的固定测试机时时间后第一个工作日为起始日期,需满足完成下单、预约机时、按照预定时间送样条件,不满足前述条件的样品不参与此活动(具体时间预约请联系工作人员确认)。

3. 注意事项

如果由于您自身样品的情况,如风险测试样、样品不满足测试要求,将不可享受此权益(样品风险及测试等问题可在下单前联系工作人员确认);非固定测试机时的订单不参与超时全额退,其他测试权益正常(详情可联系工作人员)。

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