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氩离子抛光(离子研磨CP)

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氩离子抛光(离子研磨CP)

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项目介绍

氩离子抛光技术/离子研磨CP(Cross section Polisher)用于SEM、EPMA、EBSD等样品的制备。

依靠离子束轰击制备样品剖面,可以获得表面平滑的样品,观察范围大、清洁而且适用于几乎所有材料,而不会对样品造成机械损害。

去除损伤层,从而得到高质量样品。

样品要求

1.送样前需要对样品进行预处理:样品预磨抛,样品要磨平,样品的上下表面要平行,样品抛光面至少用4000目砂纸磨平,在显微镜下看起来光滑,不粗糙;

2. 送测样品的尺寸要求:块状样品:以待抛光区域为中心点,样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨平)粉末样品:10g以上;

3. 样品准备2-3片;

4. 预约时认真填写样品信息以及测试目的,必要时上传参考图片或文件。

项目案例
常见问题
1、何时需要用到氩离子抛光(离子研磨CP)?

当你需要获得一个无损伤、无假象、能真实反映材料原始结构的高质量平整截面(用于SEM/EBSD等观察)时,得用CP。

2、离子研磨 vs. FIB:如何选择?

CP:适合大面积、无损伤截面(如电池极片、LED芯片层析)。FIB:适合微区精准切割(如TEM ),但需后续CP去除镓损伤层。

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