EBL电子束曝光系统_材料微纳结构加工-测试狗科研服务

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EBL电子束曝光系统

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EBL电子束曝光系统

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项目介绍

电子束光刻（EBL）是一种利用高能电子束在电子抗蚀剂表面进行纳米级图形直写的加工技术，其核心原理是通过电子束与材料的相互作用实现微纳结构的精确加工。

电子束由电子枪发射，经电磁透镜聚焦后，在真空环境中扫描至涂有电子敏感光刻胶（如PMMA、HSQ）的基片表面。电子束与光刻胶发生化学反应（如分子链断裂或交联），改变其在显影液中的溶解度，最终形成所需图形

样品要求

1、适用于2英寸及以下尺寸的样品，样品高度小于2 mm，直径小于2英寸。

2、干燥固体样品，样品表面干净，无油污，无磁性。

项目案例

各种金以及光栅结构加工案例图

沟道结构加工图

常见问题

1、有哪些光刻技术？

光刻技术包括：光刻蚀（Photolithography）、电子束光刻（Electron Beam Lithography，EBL）、X射线光刻（X-ray Lithography）、极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography，EUV）、纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，NIL）、扫描探针光刻（Scanning Probe Lithography，SPL）

2、为什么EBL不用于大规模工业生产？

EBL没有在工业大规模生产中使用，因为它是一个缓慢且昂贵的过程，不适合大规模制造。此外，与其它光刻技术如光刻蚀相比，它具有有限的吞吐量和扩展性。

3、与光刻法的分辨率相比，EBL的分辨率有何限制？

EBL的分辨率受到电子束尺寸、邻近效应和背散射等因素的限制，而光刻蚀的分辨率受到光源波长和衍射效应的限制。虽然EBL通常提供比光刻蚀更高的分辨率，但它的速度更慢且成本更高。

4、光刻工艺的一般目的？

光刻工艺的总体目标是将掩模或计算机文件中的图案以高精度和准确性转移到涂覆在基板上的光敏材料（光阻剂）上。

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