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动态二次离子质谱仪(D-SIMS)

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相比TOF-SIMS,D-SIMS有更强的深度分析能力,分析深度能达到5-10um,且剖析过程中可以连续测试元素信息;深度分辨率和检出限比TOF高很多,分析面积100,200,300um见方居多,面积越大溅射速率越慢。

制样要求

样品要求:以固态薄层、表面平整材料为主,比如衬底或者薄膜。粉末、已封装或者有结构之类的特殊样品需要进行适当制备。

1、尺寸要求:5-10mm之间,厚度不超过1mm,真空保存,标记清楚测试面。

2、分析面积100,200,300um见方居多,面积越大溅射速率越慢。

3、测试厚度一般在5um之内,但不超过10um。

4、部分样品可以定量分析(比如,常见的硅中各种掺杂 B, P,As等;各类化合物半导体及其多层结构等),取决于是否有合适的标准样品。

测试案例

D-SIMS原位测试

网格硅的SIMS图谱和Mapping成像

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