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    动态二次离子质谱仪（D-SIMS）

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    动态二次离子质谱仪（D-SIMS）

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    项目介绍

    动态二次离子质谱(D-SIMS)用气体等离子源轰击样品,使样品表面原子、分子或离子等溅射出来，用质量分析器接收溅射出的二次离子，通过分析其质荷比(m/z)得到的二次离子质谱。

    相比TOF-SIMS，D-SIMS有更强的深度分析能力，分析深度能达到5~10μm，且剖析过程中可以连续测试元素信息；深度分辨率和检出限比TOF高很多，分析面积100、200、300μm见方居多，面积越大溅射速率越慢。

    样品要求

    样品要求：以固态薄层、表面平整材料为主，比如衬底或者薄膜；粉末、已封装或者有结构之类的特殊样品需要进行适当制备；

    1. 尺寸要求：5~10mm之间，厚度不超过1mm，真空保存，标记清楚测试面；

    2. 分析面积100、200、300μm见方居多，面积越大溅射速率越慢；

    3. 分析深度一般在5μm之内，但不超过10μm；

    4. 部分样品可以定量分析（比如：常见的硅中各种掺杂B、P、As等，各类化合物半导体及其多层结构等），取决于是否有合适的标准样品。

    项目案例

    D-SIMS原位测试

    网格硅的SIMS图谱和Mapping成像

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    动态二次离子质谱仪（D-SIMS）

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    正常预约同步辐射XAFS测试固定机时且样品正常邮寄至对应测试线站，如无不可抗力影响（停电/掉光/自然灾害/政策影响等），测试超时5个工作日未发数据，全额退款。

    2. 具体细则

    以预约的固定测试机时时间后第一个工作日为起始日期，需满足完成下单、预约机时、按照预定时间送样条件，不满足前述条件的样品不参与此活动（具体时间预约请联系工作人员确认）。

    3. 注意事项

    如果由于您自身样品的情况，如风险测试样、样品不满足测试要求，将不可享受此权益（样品风险及测试等问题可在下单前联系工作人员确认）；非固定测试机时的订单不参与超时全额退，其他测试权益正常（详情可联系工作人员）。

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