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项目介绍

动态二次离子质谱(D-SIMS)用气体等离子源轰击样品,使样品表面原子、分子或离子等溅射出来，用质量分析器接收溅射出的二次离子，通过分析其质荷比(m/z)得到的二次离子质谱。

相比TOF-SIMS，D-SIMS有更强的深度分析能力，分析深度能达到5~10μm，且剖析过程中可以连续测试元素信息；深度分辨率和检出限比TOF高很多，分析面积100、200、300μm见方居多，面积越大溅射速率越慢。

样品要求

样品要求：以固态薄层、表面平整材料为主，比如衬底或者薄膜；粉末、已封装或者有结构之类的特殊样品需要进行适当制备；

1. 尺寸要求：5~10mm之间，厚度不超过1mm，真空保存，标记清楚测试面；

2. 分析面积100、200、300μm见方居多，面积越大溅射速率越慢；

3. 分析深度一般在5μm之内，但不超过10μm；

4. 部分样品可以定量分析（比如：常见的硅中各种掺杂B、P、As等，各类化合物半导体及其多层结构等），取决于是否有合适的标准样品。

项目案例

D-SIMS原位测试

网格硅的SIMS图谱和Mapping成像

学术文章

25

一文读懂D-SIMS

动态-二次离子质谱（D-SIMS）用气体等离子源轰击样品,使样品表面原子、分子或离子等溅射出来，用...

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