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动态二次离子质谱仪（D-SIMS）

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相比TOF-SIMS，D-SIMS有更强的深度分析能力，分析深度能达到5-10um，且剖析过程中可以连续测试元素信息；深度分辨率和检出限比TOF高很多，分析面积100,200,300um见方居多，面积越大溅射速率越慢。

制样要求

样品要求：以固态薄层、表面平整材料为主，比如衬底或者薄膜。粉末、已封装或者有结构之类的特殊样品需要进行适当制备。

1、尺寸要求：5-10mm之间，厚度不超过1mm，真空保存，标记清楚测试面。

2、分析面积100,200,300um见方居多，面积越大溅射速率越慢。

3、测试厚度一般在5um之内，但不超过10um。

4、部分样品可以定量分析（比如，常见的硅中各种掺杂 B, P,As等；各类化合物半导体及其多层结构等），取决于是否有合适的标准样品。

测试案例

D-SIMS原位测试

网格硅的SIMS图谱和Mapping成像

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一文认识TOF-SIMS

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一文读懂D-SIMS

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