深能级瞬态谱DLTS_半导体深能级缺陷检测-测试狗科研服务

{{couponData.name}} ￥{{Math.floor(couponData.money)}} {{couponData.discount}}折￥{{couponData.random_min_money | int}}~{{couponData.random_max_money|int}}

{{timeH}}:{{timeM}}:{{timeS}}

{{couponData.name}} ￥{{Math.floor(couponData.money)}} {{couponData.discount}}折￥{{couponData.random_min_money | int}}~{{couponData.random_max_money|int}} （{{couponData.min_amount==1?'无门槛':'满'+Math.floor(couponData.min_amount)+'可用'}}）

距失效

时

分

秒

Document

当前位置：材料测试 › 声光电磁 ›

深能级瞬态谱（DLTS）

99.6%

满意度

深能级瞬态谱（DLTS）

预存专享优惠

已预约：

1006次

服务周期：

平均7个工作日完成

立即下单

咨询价格

如有各类设备采购需求，请联系专属顾问。

董琛琛

PL测试工程师

2年透射电镜（TEM）测试经验。擅长低电压TEM和负染色技术，以及荧光光谱测试。

项目介绍

深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy, DLTS）是一种高灵敏度电学测试技术，专门用来定量检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。简单说，它能告诉你：“样品里有哪些‘陷阱’，这些陷阱有多深、有多少、对器件性能影响多大。”

深能级瞬态谱（DLTS）的原理可以概括为“电-热瞬态指纹”：先在半导体结上施加偏压脉冲，把多数载流子注入并填满禁带中的深能级缺陷（陷阱）；脉冲结束后回到反向偏置，这些被俘获的载流子将随温度升高以特征时间常数释放，导致结电容产生指数衰减瞬态。通过在不同温度下记录电容瞬态，并用速率窗（rate-window）或傅里叶变换提取时间常数，可绘制出 Arrhenius 图，从而定量给出缺陷的激活能、浓度、俘获截面及空间分布。

DLTS 广泛应用于功率与高频器件、光伏和光电器件的材料缺陷诊断与工艺优化。具体例子包括：在 GaN HEMT 中识别导致动态 RON 升高的界面陷阱；在 SiC MOSFET 中量化碳空位缺陷以降低栅氧漏电；在钙钛矿太阳能电池中定位影响载流子寿命的深能级；以及在量子阱激光器里评估生长缺陷对阈值电流的影响。因其高灵敏度（可检出浓度低至 10¹⁰ cm⁻³ 的陷阱），DLTS 已成为宽禁带半导体和第三代器件可靠性研究的标准工具。

样品要求

1、器件封装好，整体长度最好不超过4cm，有两根引线；

2、样品需要具有好的导电性。

3、脉冲发生器电压范围：±20.4 V（可选 ±102 V）；脉冲宽度：1 µs – 1000 s。电容测量高频信号：100 mV @ 1 MHz（可选 20 mV）；电容范围：3 pF、30 pF、3000 pF（自动或手动）；灵敏度：0.01 fF。电压测量范围：±10 V；灵敏度：< 1 µV。温度范围：30 K – 450 K。电阻范围：0.1 mΩ – 10 GΩ。

4、可测试：C-V，I-V-T，DLTS。

项目案例

常见问题

1、电致发光光谱和光致发光光谱的区别是什么？

EL光谱：激发方式为电注入，得到器件实际工作状态下的发光情况；

PL光谱：激发方式为光激发，得到的是材料本征发光性质。

项目推荐