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刘中民院士等JACS：OSDA-错配法，快速合成纯Si沸石！

来源：时间：2023-11-09 09:58:20 浏览：778次

第一作者：Chao Ma

通讯作者：刘中民院士、郭鹏研究员

通讯单位：中国科学院大连化学物理研究所

DOI: https://doi.org/10.1021/jacs.3c08484

研究背景

纯硅（Si）沸石在烷烃/烯烃的气体分离、低-k介电材料和催化过程中限制金属种类的坚固基质中起着至关重要的作用。然而，纯Si沸石的绿色合成还具有挑战性：（1）有毒的氟或脱铝核不可避免地通过水热合成被利用；（2）需要较长的结晶时间。在无氟和无种子条件下，设计合成纯Si沸石的策略通常还面临巨大挑战。基于此，中国科学院大连化学物理研究所刘中民院士和郭鹏研究员等人提出了一种有效的方法，称为OSDA-错配方法，以Si-SOD（富集的4环）作为唯一的硅源来合成纯硅沸石。这种方法可以快速环保地合成15种沸石（CHA、*BEA、EUO、SFF、STF、-SVR、*-SVY、DOH、MTN、NON、*MRE、MEL、MFI、MTW和*STO）。

文章要点

1、作者选择了Si-SOD作为唯一的硅源，提出了一种通用而有效的方法，称为OSDA-错配方法，用于在短结晶时间内无氟或无辅助条件下合成纯Si沸石（CHA、*BEA、EUO、SFF、STF、-SVR、*-SVY、DOH、MTN、NON、*MRE、MEL、MFI、MTW和*STO）。

2、通过OSDA-错配方法，作者观察到了两种显著的Si-CHA和Si-BEA沸石的不同结晶途径。此外，通过该方法合成的Si-CHA和Si-BEA具有良好的热稳定性，并含有硅烷醇缺陷，使其成为高效的吸附剂和基质。本工作利用这种独特的合成方法有望促进发现具有迷人拓扑结构的新型纯硅沸石。

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