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静态二次离子质谱(TOF-SIMS)

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静态二次离子质谱(TOF-SIMS)

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项目介绍

二次离子质谱SIMS是一种检测固体表面及近表面的成分信息的技术,几乎可以分析任何在真空中稳定的固体。它不仅可以进行全元素(从H到U)及同位素分析,同时还可以准确地识别原子团官能团,并对固体样品进行微区分析成像深度动态分析

SIMS技术对材料表面、界面的元素、分子结构进行分析,分析深度可达到表面1-3nm,检出限可达ppm级别。它可以对样品进行成像和成分定性鉴定,还可以实现三维成像、二维成像、质谱分析等。

当前,SIMS已被广泛应用于各种科学领域,包括半导体、生物、医药、化学、材料以及天体物理等研究领域。

样品要求

1. 一般要求样品无磁性,弱磁性样品可以测试,无法测试强磁性样品

2. 粉末样品至少为10mg;块体样品的尺寸小于1cm x 1cm x0. 8cm,最小几毫米;

3. 若需获取3D图,需在选项中选择,默认情况下不提供;

4. 深度分析的具体测试费用与深度、离子有关;

5. 如果测试需要与之前的条件相同,请务必提供之前的测试条件;

6. 正负离子测试是分开进行的,测试时间不叠加;

7. 务必在样品非测试面上标记“×”,仅在测试单上描述是不够的;

8. 铁、钴、镍、锰、钌等磁性元素的样品定义为磁性样品;不能被强磁铁吸引的样品为弱磁样品,能被强磁铁吸引的样品为强磁样品;请仔细检查样品磁性,因隐瞒样品信息导致仪器损坏,需要您承担全部赔偿责任;

:深度分析测试时间为1500元/样(1小时内),超过1小时的部分将额外收取1000元/小时的费用。不同离子、不同样品的测试时间均不叠加计算。

项目案例

ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 56151−56160:F8IC深度分析

TOF-SIMS三维成像(3D图)

TOF-SIMS二维成像(Mapping)

TOF-SIMS质谱图

常见问题
1、离子后面带的正或者负符号,为什么都是正一价或负一价?

离子带正或负的符号只是代表正离子或者负离子,与价态无关。

2、在TOF-SIMS测试中,如果需要同时测试正负离子,那么需要分别使用不同的样品进行测试吗?可以在同一个样品上选取不同的区域进行测试吗?

如果是测试质谱和二维成像,因为没有损伤,可以选取同一个位置进行测试,且采集完正离子后可以继续采集负离子信息;如果是做深度分析,则可以在同一个样品上选取不同的区域,分别测试正离子和负离子。

3、TOF-SIMS可以测离子含量吗?

不能。TOF-SIMS静态二次离子质谱测试离子强度,为定性测试,不能定量。

4、TOF-SIMS中,质谱测试溅射厚度是多深?

一般溅射厚度为2到3层原子,小于1nm。

静态二次离子质谱(TOF-SIMS)

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