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四探针测试仪测量半导体材料电阻率

来源：晶格四探针时间：2022-10-26 17:48:34 浏览：2100次

1. 基本介绍

电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容---电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用。其主要优点在于设备简单，操作方便，精确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。四探针法除了用来测量半导体材料的电阻率以外，在半导体器件生产中广泛使用四探针法来测量扩散层薄层电阻，以判断扩散层质量是否符合设计要求。

2. 四探针发展历史

1865 年首次提出四探针测试原理汤姆森；

1920 年第一次实际应用，测量地球电阻率 Schlunberger ；

1954 年第一次用于半导体电阻率测试 Valdes；

1980 年代具有Mapping 技术的四点探针出现；

1999 年开发出首台微观四点探针 Pertersen。

3. 四探针测试原理图

四根等距探针竖直的排成一排，同时施加适当的压力使其与被测样品表面形成欧姆连接，用恒流源给两个外探针通以小电流 I，精准电压表测量内侧两探针间电压 V，根据相应理论公式计算出样品的薄膜电阻率。

4.四探针测试方法分类

最为常用的测试方法为直线（常规）四探针法和双电测四探针法。

ST2258C多功能数字式四探针测试仪(常规四探针法选用)

ST2263双电测数字式四探针测试仪(双电测法选用)

来源：晶格四探针

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