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弱水三千只取一瓢,微区成分分析如何选择?
来源: 时间:2024-01-30 14:12:09 浏览:2617次

除了材料的体相成分信息外,许多研究会关注材料表面深度约1 μm以内的微区结构和成分信息。目前微区成分分析技术种类繁多,大多是用能汇聚成微米的射线与样品相互作用,再探测体积内激发出射线的能量(或质量)和强度来进行成分分析的。为此,笔者在本文中介绍了四种常见的微区成分分析技术,其中包括EDS、XPS、XRF和TOF-SIMS,并就各自技术的基本原理、测试对象和技术特点进行了总结,以供大家在做测试时进行参考。





1. 能谱仪(EDS)



 

1.1 工作原理

EDS(Energy dispersive spectroscopy)是用来分析材料微区成分的元素种类与含量的最常用仪器之一,一般配合扫描电子显微镜与透射电子显微镜进行使用。在真空室下用电子束轰击样品表面时,可以激发物质发射出特征X射线,根据特征X射线的波长,可定性与半定量分析元素周期表中B-U的元素。

 

1.2 测试对象

利用EDS进行成分分析时,对测试对象的要求主要包括以下几点:

1)一般为固体试样,且样品在真空和电子束轰击下能够稳定存在

2)在高准确度的定量分析时,试样分析面平、垂直于入射电子束;

3)试样尺寸大于X射线扩展范围;

4)需有良好的导电和导热性能。导电性差的材料如无机非金属、有机材料、矿物及生物材料等,在EDS分析时会发生荷电效应,降低了有效加速电压,从而减低了元素的特征X射线强度。

5)分析区域均质、无污染。

1.3 技术特点

1)能谱EDS的采样深度大约为1 μm,能快速、同时对各种试样的微区内Be-U的所有元素定性、定量分析。

2)对试样与探测器的几何位置要求低,对工作距离的要求不是很严格;可以在低倍率下获得X射线扫描、面分布结果。

3)能谱所需探针电流小,对试样的损伤小;

4)检测限一般为0.1%-0.5%,中等原子序数的无重叠峰主元素的定量误差约为2%

5EDS分析有点、线、面三种测试方法,其中点分析灵敏度最高,面扫描分析灵敏度最低,但观察元素分布最直观





2. X射线光电子能谱(XPS)




 

2.1 工作原理

基本原理—光电离作用:当光子辐照到样品表面时,可被样品中某一元素的原子轨道上的电子所吸收,该电子发生原子核束缚脱离现象,从而以一定的动能从原子内部发射出来,变成自由光电子,此时原子本身变成激发态的离子,根据爱因斯坦光电发射定律有:Ek=hv-EB,对于特定的单色激发源和特定的原子轨道,其光电子的能量是特征的。当固定激发源能量时,其光电子的能量仅与元素的种类和所电离激发的原子轨道有关。因此,可以根据光电子的结合能对材料表面物质进行成分信息分析。一般从XPS图谱的峰位和峰形获得样品表面元素成分、化学态和分子结构等信息,从峰强可获得样品表面元素含量或浓度

2.2 测试对象

XPS一般可测试金属、无机非金属、有机物和高分子材料。不同样品的探测深度不同,对于金属为0.5-3 nm,无机非金属材料为2-4 nm,有机物和高分子为4-10 nm。

2.3 技术特点

1XPS常用Al Kα或者Mg Kα X射线为激发源,能检测周期表中除氢、氦以外的所有元素,一般检测限为0.1%(原子百分数)

2XPS可对样品表面进行元素组分定性分析。对于一个未知试样来说,可先做全谱扫描,以初步判定表面的化学成分。全谱能量扫描范围一般取0∼1200 eV, 因为几乎所有元素的最强峰都在这一范围之内。由于组成元素的光电子线和俄歇线的特征能量值具有唯一性,与XPS标准谱图手册和数据库的结合能进行对比,可以用来鉴别某特定元素的存在。

3XPS可对样品表面进行元素组分的化学态与结构分析。原子因所处化学环境不同,其内壳层电子结合能会发生变化,这种变化在XPS谱图上表现为谱峰的位移(化学位移)。因此通过先测定样品元素的高分辨谱,再进行数据处理可有效分析元素的化学态。由于化学态的分析主要依赖于谱线能量的精确测定,因此对绝缘样品应进行荷电校正。

4XPS是一种半定量元素分析技术。鉴于光电子的强度不仅与原子的浓度有关,还与光电子的平均自由程、样品的表面光洁度、元素所处的化学状态、X射线源强度以及仪器的状态有关。因此,XPS技术一般不能给出所分析元素的绝对含量,仅能提供各元素的相对含量。

5XPS是一种表面分析技术,提供的信息一般仅代表表面的10nm以内的组分。





3. X射线荧光光谱仪(XRF)



 

3.1基本原理

X射线管通过产生一次X射线以激发被测样品,受激发的样品中的元素会放射出二次X射线(即X荧光),并且不同的元素所放射出的二次X射线具有特定的能量特性或波长特性。通过探测这些放射出来的二次X射线的能量及数量或者波长,即可分析各种元素的种类和含量。

 

3.2 测试对象

XRF主要用于金属、无机非金属等材料中化学元素的成分分析,试样形态可包括固体、粉末、薄膜、液体样品及不规则样品,但一般情况下只能对固体样品进行分析,如果要测试液体样,也必须经过处理转化成固体后方可测试。

3.3 技术特点

1)XRF可分析“Be~92U”的元素范围,但是因为轻质元素能量跃迁很小,不容易捕捉,最好情况下XRF能检测Na以后的元素

2)分析精度高,速度快,10~300秒就可以测完样品中的全部待测元素。

3)样品无需经过化学消解前处理,可不破坏样品直接做无损分析,重现性高。

4)分析元素含量的线性范围广,分析浓度范围从痕量(0.0001%)到常量(99.999%)。

5)分析的样品量从几十毫克到几十克,大功率激发源(初级X光)可探测样品深度达0.03~3 mm。

6)检出限达0.0005 mg g-1 , 分析精度为0.02%~2.0%。





4. 飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)



4.1基本原理

二次离子质谱仪(TOF-SIMS)采用质谱技术分析材料表面原子层以确定表面元素组成和分子结构。其工作原理是样品表面被高能聚焦的一次离子轰击时,一次离子注入被分析样品,把动能传递给固体原子,通过层叠碰撞,引起中性粒子和带正负电荷的二次离子发生溅射,再通过测量不同二次离子的飞行时间测量它们的质量/荷质比,对被轰击的样品的表面和内部元素分布特征进行分析。二次离子质谱可以分析包括氢在内的全部元素,并能给出同位素的信息、分析化合物组分和分子构成,灵敏度好、质量分辨率高、可测量的分子量范围大,还可以进行微区成分成像和深度剖面分析。

 

4.2 测试对象

无磁性固体样品均可,可测试粉末或者薄膜材料,不受导电性限制。目前主要用于有机样品的表面分析,如生物药品的有机物分析、半导体材料的污染分析、储能材料分析及有机分子碎片鉴定。

4.3 技术特点

1)检测极限极低、分辨率极高,能实现在2-3个原子层对样品进行检测并给出二维和三维图像信息。

2)可进行有机物的表面表征,可对元素进行面分布分析,分辨率为5~10nm。

3)分析面积非常小,最小区域可达直径80nm。

4)良好的深度分辨率(0.1-1 nm),但溅射速率很慢(<1 μm/h)。

5)可进行同位素丰度分析。

6)元素分析范围为H-U,包含有机无机材料的元素及分子态,检出限ppm级别。利用TOF-SIMS既对样品进行成分分析,又可对样品的分子式和结构信息进行解析。

7)只能进行定性分析,无法进行定量分析。

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全部 3小时前 四川
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