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动态二次离子质谱仪可解决哪些问题？

来源：测试GO 时间：2022-08-25 14:50:21 浏览：1959次

动态-二次离子质谱(D-SIMS)用气体等离子源轰击样品,使样品表面原子、分子或离子等溅射出来,用质量分析器接收溅射出的二次离子,通过分析其质荷比(m/z)得到的二次离子质谱。因为D-SIMS的离子源是高密度离子束(原子剂量>1012 ions/cm2),对样品的溅射影响很大,所以这是一种破坏性分析。此外，D-SIMS一般要求样品导电性要好，主要用于无机样品沿纵向方向的浓度剖析和进行痕量杂质鉴定如地质研究、同位素定量分析、半导体掺杂的深度分析等。

D-SIMS测试可解决哪些问题有：

（1）定性检测产品表面微小异物(≥10μm),尤其是在常规成分检测方法无效时。

（2）检测多层膜或单层膜的厚度和成分（厚度≥1nm）。

（3）分析表面超痕量物质成分，确定外来污染与否，检出限高达ppb级别。

（4）测试在掺杂工艺中由表到里,超低含量的物质情况。

（5）元素含量的面分布图、同位素丰度分析，逐层剥离、实现各成分的纵向剖析（AES、XPS只能分析纵向新生成的表面）

D-SIMS测试的样品要求：

以固态薄层、表面平整材料为主，比如衬底或者薄膜。粉末、已封装或者有结构之类的特殊样品需要进行适当制备。

1、尺寸要求：5-10mm之间，厚度不超过1mm，真空保存，标记清楚测试面。

2、分析面积100,200,300um见方居多，面积越大溅射速率越慢。

3、测试厚度一般在5um之内，但不超过10um。

4、部分样品可以定量分析（比如，常见的硅中各种掺杂 B, P,As等；各类化合物半导体及其多层结构等），取决于是否有合适的标准样品。

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