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    X射线光电子能谱(XPS)

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    X射线衍射仪(XRD)

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    傅里叶红外光谱仪(FTIR)

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    等离子体光谱仪(ICP-OES)

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    聚光镜球差透射(AC-STEM)

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    硬度检测

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    卡尔费休水分测试仪

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    金相显微镜

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    飞秒瞬态吸收(fs-TAS)

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    全自动氨基酸分析仪

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    同步辐射GIWAXS/GISAXS测试

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    真空冷冻干燥机

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    穆斯堡尔谱仪

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    原子吸收光谱仪(AAS)

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    表面光电压谱仪(SPV)

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    气体透过率测试仪

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    塞贝克系数与电阻率测试系统

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    物性综合测量系统(PPMS)

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    微计算机断层扫描(Micro-CT)

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    涂层附着力自动划痕仪

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    红外反射率、透过率、发射率、漫反射测试

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    台阶仪

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    矿物自动分析仪(MLA)

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    锥形量热仪

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    铁电压电分析仪

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    静态热机械分析(TMA)

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    临界氧指数分析仪

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    低场核磁共振成像系统(MRI)

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    变温荧光光谱(PL)

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    高温灼烧/热处理气氛炉

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    原位电化学拉曼

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    液体核磁共振(NMR)-400M

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    光催化产氢

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    原位微分电化学质谱仪(DEMS)

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    原位电化学电子自旋共振波谱仪(ESR/EPR)

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    偏光显微镜

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    原位电化学红外

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    旋转粘度计

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    高温/低温液体核磁(NMR)

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    放电等离子烧结(SPS)

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    折射率测试

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    辉光放电质谱/光谱仪(GD-MS/OES)

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    凯氏定氮仪

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    动态水分吸附测试仪(DVS)

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    水平垂直燃烧测定仪

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    未知成分分析

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    智能重量分析仪(IGA)

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    原位拉曼

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    微区XRD

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    纳米颗粒跟踪分析仪(NTA)

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    极图/宏观织构测试(XRD)

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    煤质分析

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    同步辐射XRD

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    显微红外

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    超景深显微镜

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    同步热分析-红外-质谱联用 (TG-IR-MS)

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    D33测试(压电常数测试)

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    电阻率测试仪

    电阻率测试仪

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    霍普金森杆

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    线切割

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    俄歇电子能谱(AES)

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    振实/松装密度测定仪

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    同步辐射全散射PDF

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    高分辨XRD(HRXRD)

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    正电子湮灭寿命谱仪(PAT)

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    多功能缺陷荧光光谱仪

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    泡压法膜孔径分析仪

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    荧光显微镜(FM)

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    三维X射线显微镜XRM(显微CT)

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    电子探针显微分析(EPMA)-云视频

    电子探针显微分析(EPMA)-云视频

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    火花直读光谱仪

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    热模拟实验机(Gleeble)

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    行星球磨仪

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    变温紫外光谱

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    全自动电位滴定仪

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    TEM云现场(强磁)

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    水泥水化分析

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    热红外成像仪

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    氩离子抛光(离子研磨CP)

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    粉体流变仪FT4

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    高温接触角测试

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    石英晶体微天平(QCM)

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    吡啶红外

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    压实密度仪

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    附着力测试

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    热台偏光显微镜

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    全自动高温高压气体吸附仪

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    光催化二氧化碳还原

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    和频振动光谱(SFG)

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    氧乙炔烧蚀

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    偏振拉曼测试

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    热变形维卡软化点试验机

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    原位透射电镜(in-situ TEM)

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    工业CT无损探伤类检测

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    光学显微镜

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    原位扫描电子显微镜(in-situ-SEM)

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    磁控溅射镀膜

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    电池性能测试

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    同位素

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    阻抗分析仪

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    外量子效率(IPCE/EQE)

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    残余应力

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    电子通道衬度成像(ECCI)

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    摆锤冲击试验机

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    动态二次离子质谱仪(D-SIMS)

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    毛细管流变仪

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    液体密度计

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    单丝强力仪(纤维)

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    击穿电压试验仪

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    落锤冲击试验机

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    同步辐射散射数据处理

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    纳米红外(AFM-IR)

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    稳定同位素

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    腐蚀性气体吸附分析仪(BET)

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    半导体光电测试

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    多组分竞争吸附仪(穿透曲线分析仪)

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    电子鼻

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    全自动旋光仪

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    单颗粒力学性能测试系统

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    岩石薄片分析

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    场发射透射电镜(TEM)-强磁

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    比色仪(颜色测定)

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    动态法弹性模量测试仪

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    硫氮氯元素分析仪

    硫氮氯元素分析仪

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    雾度测试

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     热刺激电流仪(TSC)

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    电子舌

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    强度调制光电流谱(IMPS)

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    微区XPS

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    原位AFM

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    扫描隧道显微镜(STM)

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    环境扫描电镜(ESEM)

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    1000T六面顶压机

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    光学玻璃粘度仪

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    盐雾试验

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    灰分测试

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    脂肪测定仪(粗脂肪含量)

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    熔融指数

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    热等静压(HIP)

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    二次谐波(SHG)

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    原子荧光光谱仪(AFS)

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    位错密度测试

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    电液伺服岩石三轴试验机

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    红外测油仪

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    显微熔点仪

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    比热容(DSC蓝宝石法)

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    折光率测试

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    同步辐射小角散射SAXS

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    灰熔点测定仪

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    覆压孔渗测量仪

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    推拉力测试机

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    乌氏粘度计

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    重量法磁悬浮吸附系统

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    气相离子迁移谱联用仪(GC-IMS)

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    扫描电化学显微镜(SECM)

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    高低温高频疲劳试验机

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    薄膜应力测试仪

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    声学性能测试系统(阻抗管)

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    飞秒瞬态吸收数据分析

    飞秒瞬态吸收数据分析

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    激光诱导击穿光谱仪(LIBS)

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    全自动高温维氏硬度计

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    液相色谱-原子荧光联用(HPLC-AFS)

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    免疫电镜测试(IEM)

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    温度冲击试验

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    专业级3D打印

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    温度湿度试验系统

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    磁致伸缩系数测量系统

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    激光显微镜

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    同步辐射原位表征测试

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    静态摩擦系数试验机

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    蓝光3D扫描仪

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    阴极荧光光谱(SEM-CL)

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    固态电解质分析系统

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    OC/EC分析仪

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    傅里叶变换离子回旋共振质谱(FT- ICR- MS)

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    OLED光电测试系统

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    剖面密度

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    电致发光光谱(EL)

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    应力仪

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    超声回波材料测试系统

    超声回波材料测试系统

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    气候环境试验

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    原位断层光谱

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     等离子体聚焦离子束显微镜(PFIB)

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    激光剥蚀(多接收)等离子体质谱仪 LA-(MC)-ICP-MS

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    颗粒形貌分析仪

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    超声波探伤仪

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    镜质体反射率

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    凝冻强度测试仪(冻力仪)

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    微波暗室远场测试系统

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    电池绝热量热仪

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    显微式激光测振仪

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    水蒸气透过率测试仪

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    橡胶弹性试验机

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    同步辐射微区表征测试

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    等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

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    飞灰比电阻测定仪

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    原位动态吸收光谱

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    微焦点X射线透视

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    磁粉探伤仪

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    光学应变测试系统

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    常见问题

    Q&A

    Q:到底是发论文还是申请专利?
    A:论文和专利都是技术的载体,论文审稿侧重考察数据是否可靠、结论是否准确,发明专利会经过新颖性或创造性的审查,授权后获得独占权而受到法律保护,自己在先公开的论文会导致在后申请的专利失去新颖性或创造性,对于同一方案务必先申请专利再发表论文。
    Q:专利申请为什么要趁早?
    A:1.要防止创意或产品推出前被模仿。2.相关技术更新迭代、层出不穷,慢一步就会导致他人先公开自己的创意而无法获得专利权。3.专利可以在升学评奖、职称考核、高企认定等过程中添加砝码,竞争激烈,提早准备更容易命中目标。
    Q:哪些不能申请专利?
    A:1. 科学发现;3. 疾病的诊断和治疗方法;4. 动物和植物品种;5. 用原子核变换方法获得的物质;6. 对平面印刷品的图案、色彩或者二者的结合作出的主要起标识作用的设计。
    Q:发明和实用新型有何区别?
    A:1.保护客体不同,发明专利保护产品、方法或者改进所提出的新的技术方案,实用新型专利只保护产品的形状、构造或者其结合所提出的适于实用的新的技术方案。2.审批程序不同,发明专利需要经过实质审查以确定满足新颖性、创造性和实用性,审查时间更长,实用新型不需要经过实质审查,创造性和技术水平较发明专利低,但实用价值大。3.保护期限不同,发明专利权的期限为二十年,实用新型专利权的期限为十年,外观设计专利权的期限为十五年,均自申请日起计算。
    Q:什么是技术交底书?
    A:技术交底书是发明人和代理师沟通的基础,应当涵盖现有技术的问题是什么,发明人提出了什么样的解决方案,达到了何种效果,以及希望保护的核心技术要点是什么,应当尽可能记录技术内容,充分描述技术细节,提供有力的证明材料,如此才能撰写更高质量的专利。
    Q:如何才能更快获得发明专利授权?
    A:1.优先审查,涉及特定的高端制造、节能环保、新材料、新能源等特殊领域,可以申请优先审查,最快可在6-8个月获得发明专利授权。2.通过保护中心的预审加快审查,进入快速审查通道,可进一步压缩授权时间。
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